chip

Состав серий БМК 5503 и 5507

Микросхемы серий БМК 5503 и 5507 выпускаются в двух категориях качества: «ВП» или «ОТК»

Тип БМК Количество условных вентилей в поле БМК Количество внешних контактов Напряжение питания, В Рабочая частота, МГц Тип корпуса Обозначение технических условий
 Серия БМК 5503 категории качества «ВП»
Н5503ХМ1 576 28 5 30 Н09.28-1В АЕЯР.431260.159ТУ
5503ХМ1У 576 28 5 30 МК 5123.28-1.01 АЕЯР.431260.159ТУ
Н5503ХМ2 1296 42 5 30 Н14.42-1В АЕЯР.431260.165ТУ
5503ХМ2Т 1296 42 5 30 МК 4217.44-1 ---
Н5503ХМ5 3072 64 5 30 Н18.64-1В АЕЯР.431260.146ТУ
5503ХМ5Т 3072 64 5 30 МК 4239.68-2 АЕЯР.431260.146ТУ
5503БЦ7У 5478 64 5 25 H18.64-1B АЕЯР.431260.272ТУ
5503БЦ7Т 5478 68 5 25 МК 4239.68-2 АЕЯР.431260.272ТУ
5503БЦ7Т1 5478 84 5 25 МК 4247.100-2 ---
 Серия БМК К5503 категории качества «ОТК»
К5503ТН015 576 28 5 30 Н09.28-1В ГАВЛ.431260.675ТУ
К5503ТН015А 576 28 5 30 МК 5123.28-1.01
К5503ТН024 1296 42 5 30 МК 4217.44-1
К5503ТН025 1296 42 5 30 Н14.42-1В
К5503ТН054 3072 64 5 30 МК 4239.68–2
К5503ТН055 3072 64 5 30 H18.64-1B
К5503ТН074 5478 68 5 25 МК 4239.68–2
К5503ТН075 5478 64 5 25 Н18.64-1В
 Серия БМК 5507 категории качества «ВП»
5507БЦ1У 576  28 3 25 H09.28-1B АЕЯР.431260.227ТУ
5507БЦ1У1 576  28 3 25 МК 5123.28-1.01 ---
5507БЦ2У 1296 42 3 25 Н14.42-1В АЕЯР.431260.228ТУ 
5507БЦ2Т 1296 42 3 25 МК 4217.44-1 ---
5507БЦ5У 3072 64 3 25 H18.64-1B АЕЯР.431260.230ТУ
5507БЦ5У 3072 64 3 25 МК 4239.68-2 ---
5507БЦ7У 5478 64 3 25 H18.64-1B АЕЯР.431260.231ТУ
5507БЦ7Т 5478 68 5 25 МК 4239.68-2 ---
5507БЦ7Т1 5478 84 5 25 МК 4247.100-2 ---
Серия БМК К5507 категории качества «ОТК»
К5507ТН015 576 28 3 25 Н09.28-1В ГАВЛ.431260.674ТУ
К5507ТН015А 576 28 3 25 МК 5123.28-1.01
К5507ТН024 1296 42 3 25 МК 4217.44-1
К5507ТН025 1296 42 3 25 Н14.42-1В
К5507ТН054 3072 64 3 25 МК 4239.68–2
К5507ТН055 3072 64 3 25 Н18.64-1В
К5507ТН074 5478 68 3 25 МК 4239.68–2
К5507ТН075 5478 64 3 25 Н18.64-1В

Примечание:    Типы БМК, не имеющие ТУ, могут быть освоены в производстве 
по требованию Заказчика.

Разработка: НПК "Технологический центр".
Технология: КМОП с поликремниевыми затворами, одним слоем металлизации, с повышенной устойчивостью к внешним воздействующим факторам (ВВФ). Уровень технологии 1,6 мкм.
Конструкция: На матричном поле расположены ячейки, содержащие по 4 нескоммутированных транзистора, которые образуют один условный вентиль, и каналы трассировки: вертикальные каналы (10 трасс) внутри матрицы вдоль рядов базовых ячеек и 4 периферийных канала (8-16 трасс).